商品名稱:PI3DBS16222Q2ZLEX
數(shù)據(jù)手冊:PI3DBS16222Q2ZLEX.pdf
品牌:Diodes
年份:23+
封裝:30-WFQFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
PI3DBS16222Q2ZLEX是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的差分交換開關(guān),具有直通引腳。它支持工作頻率為 20Gbps 的 2x2 交換開關(guān),可應(yīng)用于PCI Express 4.0、USB 4.0、USB 3.1 Gen 2、Thunderbolt 4、10GBASE-KR。當(dāng)選擇控制輸入為低電平時,端口 A 連接到端口 B,而端口 C 則連接到端口 D,以實(shí)現(xiàn) 10G BASE-KR。端口 C 連接到端口 D,實(shí)現(xiàn)八通道差分直通。當(dāng)選擇控制輸入為高電平時,端口 A 連接到端口 D,端口 B 連接到端口 C,形成八通道差分通路。
產(chǎn)品屬性
多路復(fù)用器/解復(fù)用器電路:2:2
開關(guān)電路:DPDT
通道數(shù):4
電壓 - 電源,單 (V+):2.97V ~ 3.63V
特性:雙向,SATA,USB 3.0
工作溫度:-40°C ~ 105°C
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:30-WFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:30-TQFN(2.5x4.5)
應(yīng)用
● 應(yīng)用高達(dá)20Gbps,包括PCIe 4.0、USB 3.2 Gen 2、10GE、Thunderbolt 4、SAS 3.0和SATA 3.0
● 汽車
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
BROADCOM
1156-FCBGA
1000
96 通道、24 端口 PCI Express Gen 3 (8 GT/s) 交換機(jī),35 x 35mm FCBGA
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Diodes Inc.成立於1966年,是美國Nasdaq上市企業(yè),為敦南科技轉(zhuǎn)投資企業(yè),主要從事半導(dǎo)體分立元件制造生產(chǎn),Diodes Inc.與光寶集團(tuán)具備合作夥伴關(guān)系,雙方共同開發(fā)、生產(chǎn)及分銷產(chǎn)品,服務(wù)廠商包括通訊、電腦、工業(yè)、電子產(chǎn)品和汽車工業(yè)等。 Diodes 公司是一家在廣闊的分…
DMWSH120H43SM4
DMWSH120H43SM4是一款1200V、72.7A單N溝道碳化硅功率MOSFET,采用4引腳TO-247封裝,設(shè)計(jì)用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。這些功率MOSFET非常適合用于EV大功率DC-DC轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、AC-DC牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動器。DMWSH120H…DMWSH120H43SM3
DMWSH120H43SM3是一款1200V、72.7A單N溝道碳化硅功率MOSFET,設(shè)計(jì)用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。這些1200V功率MOSFET非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動器。DMWSH120H43SM3的規(guī)…DMWSH120H90SM3
DMWSH120H90SM3是一款1200V、41A碳化硅功率MOSFET,設(shè)計(jì)用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。這些1200V功率MOSFET非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動器。DMWSH120H90SM3的規(guī)格:FET …DMWSH120H90SM3Q
DMWSH120H90SM3Q是一款1200V、41A N溝道碳化硅功率MOSFET,設(shè)計(jì)用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。該款MOSFET非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動器。DMWSH120H90SM3Q的規(guī)格:FET 類…DMWSH120H90SM4Q
DMWSH120H90SM4Q 1200V N溝道碳化硅功率MOSFET旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻,同時保持出色的開關(guān)性能,非常適合高效率電源管理應(yīng)用。DMWSH120H90SM4Q的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):40A(Tc)驅(qū)…DMWSH120H28SM4Q
DMWSH120H28SM4Q 1200V N溝道碳化硅功率MOSFET設(shè)計(jì)用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。該MOSFET具有低輸入電容,非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動器。DMWSH120H28SM4Q的規(guī)格:FET…電話咨詢:86-755-83294757
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