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2EDL8033G3C設計用于驅(qū)動半橋配置中的高壓側(cè)和低壓側(cè) MOSFET。浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠驅(qū)動工作電壓高達 120 V 的高壓側(cè) MOSFET。版本 4 提供 4 A 電流能力，而版本 3 則提供 3 A 電流能力。高壓側(cè)偏置電壓通過自舉技術(shù)產(chǎn)生，使用集成的自舉二極管。驅(qū)動器的輸入與 TTL 邏輯兼容，可承受 -10 V 至 20 V 的輸入共模擺幅。獨立輸入允許獨立控制高壓側(cè)和低壓側(cè)域。高壓側(cè)和低壓側(cè)電源上的欠壓鎖定（UVLO）會強制將相應的輸出變?yōu)榈碗娖健?/span>

產(chǎn)品屬性

驅(qū)動配置：半橋

通道類型：獨立式

驅(qū)動器數(shù)：2

柵極類型：N 溝道，P 溝道 MOSFET

電壓 - 供電：8V ~ 17V

電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：3A，6A

輸入類型：非反相

高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）：120 V

上升/下降時間（典型值）：4.6ns，4.4ns

工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：10-VFDFN 裸露焊盤

供應商器件封裝：PG-VSON-10-4

應用

● 電信/數(shù)據(jù)通信半橋和全橋電源轉(zhuǎn)換器

● 電流饋電推挽轉(zhuǎn)換器

● 降壓轉(zhuǎn)換器

● 雙開關(guān)正向轉(zhuǎn)換器

● 有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器

● D 類放大器

● 直流電機驅(qū)動器

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