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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:NTMFD6H846NLT1G

商品名稱:NTMFD6H846NLT1G

數(shù)據(jù)手冊:NTMFD6H846NLT1G.PDF

品牌:ON

年份:23+

封裝:8-DFN

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術參數(shù)

制造商
ON
型號
NTMFD6H846NLT1G
封裝
8-DFN
描述
MOSFET - 陣列 80V 9,4A(Ta),31A(Tc) 3,2W(Ta),34W(Tc) 表面貼裝型 8-DFN(5x6)雙標記(SO8FL-雙通道)

產(chǎn)品描述

NTMFD6H846NLT1G 80V、15mOhm、31A MOSFET - 功率、雙通道、N通道晶體管


產(chǎn)品屬性

技術 MOSFET(金屬氧化物)  

配置 2 N-通道(雙)  

漏源電壓(Vdss) 80V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 9,4A(Ta),31A(Tc)  

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 15 毫歐 @ 5A,10V  

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 2V @ 21μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 900pF @ 40V  

功率 - 最大值 3,2W(Ta),34W(Tc)  

工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)  

安裝類型 表面貼裝型  

封裝/外殼 8-PowerTDFN  

供應商器件封裝 8-DFN(5x6)雙標記(SO8FL-雙通道) 


特性

- 小尺寸(5x6 毫米),適合緊湊型設計

- 低 RDS(on),將傳導損耗降至最低

- 低 QG 和電容,可將驅動器損耗降至最低

- 這些器件無鉛,符合 RoHS 規(guī)范


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常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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