商品名稱：WAS310M17BM3
數(shù)據(jù)手冊：
WAS310M17BM3.pdf
品牌：Wolfspeed
年份：23+
封裝：MODULE
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
WAS310M17BM3 1700V SiC半橋模塊具有業(yè)界標準62mm占位面積、由銅基板，氮化鋁絕緣體組成。這些模塊具有超低損耗、高頻工作、MOSFET零關(guān)斷尾電流和二極管零反向恢復(fù)的特點。由于SiC的低開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，該半橋模塊具有62mm外形尺寸，可以進行系統(tǒng)改造并提高效率。該模塊具有-40°C到150°C虛擬結(jié)溫范圍，310A電流（ID），和-40°C到125°C外殼溫度范圍。1700V SiC半橋模塊非常適用于感應(yīng)加熱、電機驅(qū)動、可再生能源和電動汽車快速充電應(yīng)用。
技術(shù)特點
? 行業(yè)標準 62mm 基底面
? 高濕度操作 THB-80 (HV-H3TRB)
? 超低損耗，高頻操作
? 二極管零反向恢復(fù)
? 來自 MOSFET 的零關(guān)斷尾電流
? 常開、故障安全器件操作
? 銅基板和氮化鋁絕緣體
應(yīng)用
? 感應(yīng)加熱
? 電機驅(qū)動
? 可再生能源
? 鐵路輔助和牽引
? 電動汽車快速充電
? UPS 和 SMPS
系統(tǒng)優(yōu)勢
? 62mm 外形尺寸使系統(tǒng)可進行改裝
? 開關(guān)和傳導(dǎo)損耗低，提高了系統(tǒng)效率和碳化硅的傳導(dǎo)損耗
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件，涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊，帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼，可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…
CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T 是 2300 V、7.5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊，帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB7R5A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼，可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB7R5A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路…
CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T 是 2300 V、5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊，帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB5R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼，可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB5R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…
C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET，具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對高頻電力電子應(yīng)用進行了優(yōu)化。典型應(yīng)用包括：可再生能源、照明、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電信電源和感應(yīng)加熱。C3M0280090J的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiCFET（碳化硅…
C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET，具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和低電容高速開關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-247-3封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）。C3M0160120D…
C3M0350120J
C3M0350120J是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 7.2 A碳化硅功率MOSFET，具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和低電容高速開關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-263-7封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）。C3M0350120J的規(guī)格：…電話咨詢：86-755-83294757
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