商品名稱(chēng):CBB021M12FM3T
數(shù)據(jù)手冊(cè):CBB021M12FM3T.pdf
品牌:Wolfspeed
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
CBB021M12FM3T碳化硅電源模塊有半橋、全橋和六組(三相)配置,均可選擇預(yù)涂HoneywellTM導(dǎo)熱界面材料 (TIM)。這些模塊適合用于中等功率(10kW至100+kW)的設(shè)計(jì),占位面積小,支持開(kāi)發(fā)更緊湊、可擴(kuò)展的解決方案。這些封裝是現(xiàn)有硅基模塊的引腳兼容替代品,方便隨時(shí)進(jìn)行系統(tǒng)更新。與標(biāo)準(zhǔn)熱潤(rùn)滑脂相比,選擇帶有預(yù)涂TIM的WolfPACK模塊可將結(jié)溫 (Tj) 降低高達(dá)40°C或?qū)㈦娏髟黾痈哌_(dá)60%。
產(chǎn)品屬性
技術(shù):碳化硅(SiC)
配置:4 N 溝道(全橋)
漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):105A(Tj)
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):14 毫歐 @ 100A,15V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.6V @ 35mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):324nC @ 15V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):10300pF @ 800V
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
應(yīng)用
● 直流-直流轉(zhuǎn)換器
● 電動(dòng)汽車(chē)充電器
● 高效轉(zhuǎn)換器/逆變器
● 可再生能源
● 智能電網(wǎng)/并網(wǎng)分布式發(fā)電
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來(lái)提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開(kāi)關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動(dòng)汽車(chē)、快速充電、5G、可再生能源和存儲(chǔ)以及航空航天和國(guó)…
CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點(diǎn)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點(diǎn)通過(guò) 1500 V 直流電鏈路實(shí)…CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T 是 2300 V、7.5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB7R5A23GM4T 的特點(diǎn)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB7R5A23GM4T 的優(yōu)點(diǎn)通過(guò) 1500 V 直流電鏈路…CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T 是 2300 V、5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB5R0A23GM4T 的特點(diǎn)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB5R0A23GM4T 的優(yōu)點(diǎn)通過(guò) 1500 V 直流電鏈路實(shí)…C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET,具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對(duì)高頻電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。典型應(yīng)用包括:可再生能源、照明、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電信電源和感應(yīng)加熱。C3M0280090J的規(guī)格:FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅…C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和低電容高速開(kāi)關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-247-3封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)。C3M0160120D…C3M0350120J
C3M0350120J是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 7.2 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和低電容高速開(kāi)關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-263-7封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)。C3M0350120J的規(guī)格:…電話咨詢(xún):86-755-83294757
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