商品名稱:ETD630N16P60
數(shù)據(jù)手冊(cè):ETD630N16P60.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
ETD630N16P60 Infineon Eco Block焊接式模塊非常適合用于不必非要采用高穩(wěn)健性壓力接觸技術(shù)的應(yīng)用。典型應(yīng)用包括驅(qū)動(dòng)器、電源和軟起動(dòng)器。該器件為設(shè)計(jì)人員提供了以下優(yōu)勢(shì):改進(jìn)的端子設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)對(duì)稱電流共享;焊接工藝的100% X射線監(jiān)控,可保障產(chǎn)品的高性能和較長(zhǎng)使用壽命。第二代34mm器件具有更高的額定電流(高達(dá)240A)。
產(chǎn)品屬性
結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管
SCR 數(shù),二極管:1 SCR,1 個(gè)二極管
電壓 - 斷態(tài):1.6 kV
電流 - 通態(tài) (It (AV))(最大值):635 A
電流 - 通態(tài) (It (RMS))(最大值):700 A
電壓 - 柵極觸發(fā) (Vgt)(最大值):2 V
電流 - 柵極觸發(fā) (Igt)(最大值):250 mA
電流 - 非重復(fù)浪涌 50、60Hz (Itsm):19800A @ 50Hz
電流 - 保持 (Ih)(最大值):300 mA
工作溫度:-40°C ~ 135°C(TC)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
應(yīng)用
● 軟啟動(dòng)器
● 驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用整流器
● 短路應(yīng)用
● 功率控制器
● 用于 UBS 的整流器
● 電池充電器
● 靜態(tài)開(kāi)關(guān)
● 旁路開(kāi)關(guān)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級(jí),7 m?-1000 m?導(dǎo)通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格:FET 類型:N …AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車(chē)CoolSiC MOSFET專門(mén)針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車(chē)架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。優(yōu)勢(shì):更低的封裝寄生效應(yīng)更低的開(kāi)關(guān)損耗簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R030M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1…AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車(chē)用CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品,它是專門(mén)針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車(chē)架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R040M1TFET 類型:N 通…AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車(chē)用CoolSiC? MOSFET,采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車(chē)MOSFET 1200 V專門(mén)針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車(chē)架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R060M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連…AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車(chē)用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車(chē)MOSFET 1200 V專門(mén)針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車(chē)架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R080M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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