商品名稱：BSM300D12P3E005
數(shù)據(jù)手冊：
BSM300D12P3E005.pdf
品牌：ROHM
年份：23+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
BSM300D12P3E005 ROHM Semiconductor SiC功率模塊是在一個封裝中集成了SiC SBD和SiC MOSFET的半橋SiC模塊。這類模塊能在減少開關(guān)損耗的同時高頻運(yùn)行。與現(xiàn)有解決方案相比，此優(yōu)化設(shè)計減少了雜散電感。另外，為了防止發(fā)生過熱情況，還提供了集成其他熱敏電阻的E型模塊。
產(chǎn)品屬性
技術(shù)：碳化硅（SiC）
配置：2 個 N 通道（半橋）
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：300A（Tc）
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 91mA
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：14000pF @ 10V
功率 - 最大值：1260W（Tc）
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：模塊
供應(yīng)商器件封裝：模塊
應(yīng)用
● 電機(jī)驅(qū)動
● 逆變器、轉(zhuǎn)換器
● 光伏、風(fēng)力發(fā)電
● 感應(yīng)加熱設(shè)備
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一，總部所在地設(shè)在日本京都市，ROHM設(shè)計和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級IC，非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強(qiáng)型GaN HEMT和硅驅(qū)動器。特性：Nano CAP?集成輸出可選5V LDO為工業(yè)應(yīng)用提供長期支持產(chǎn)品寬工作范圍，適用于VDD 引腳電壓IN引腳電壓的寬工…
SCT3160KWATL
SCT3160KWATL是一款1200V, 17A SiC(碳化硅)溝槽MOSFET，采用小型TO-263-7封裝。其特點包括耐高壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度。SCT3160KWATL的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：17A（Tj）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小…
SCT3160KWAHRTL
SCT3160KWAHRTL是一款1200V, 17A汽車用SiC(碳化硅)溝槽MOSFET。其特點包括耐高壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度。該器件采用小型TO-263-7封裝，設(shè)計符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。SCT3160KWAHRTL的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流…
SCT3060ARC15
SCT3060ARC15是一款650V N通道 4引腳封裝 SiC（碳化硅）MOSFET，非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽能逆變器及電動汽車充電站等應(yīng)用。與以往的3引腳封裝（TO-247N）相比，導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗合起來預(yù)計可降低約35％的損耗。SCT3060ARC15的規(guī)格：FET 類型：N 通道技…
SCT3080ARC15
SCT3080ARC15是一款非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽能逆變器及電動汽車充電站等的溝槽柵結(jié)構(gòu)650V SiC MOSFET。該器件采用電源源極引腳和驅(qū)動器源極引腳分離的4引腳封裝，能夠充分地發(fā)揮出高速開關(guān)性能。SCT3080ARC15的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅…
SCT3080ALHRC11
SCT3080ALHRC11是一款采用溝槽柵極結(jié)構(gòu)的650V SiC MOSFET。與平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。SCT3080ALHRC11的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiCFE…電話咨詢：86-755-83294757
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