商品名稱:RGTH60TS65GC13
數據手冊:RGTH60TS65GC13.pdf
品牌:ROHM
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數量:1000 件
RGTH60TS65GC13是一款高速開關型650V 場截止溝槽式IGBT,具有較低的集電極和發(fā)射極飽和電壓、耐受時間的短路以及內置的快速軟恢復FRD。該產品是UPS、功率調節(jié)器、焊機和工業(yè)用通用逆變器的理想選擇。
規(guī)格
IGBT 類型:溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):58 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):120 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,30A
功率 - 最大值:194 W
開關能量:-
輸入類型:標準
柵極電荷:58 nC
25°C 時 Td(開/關)值:27ns/105ns
測試條件:400V,30A,10 歐姆,15V
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
供應商器件封裝:TO-247
基本產品編號:RGTH60
型號
品牌
封裝
數量
描述
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導體廠商之一,總部所在地設在日本京都市,ROHM設計和制造半導體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機、汽車和消費電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設備和裝置都采用了 ROHM 產品。
BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級IC,非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強型GaN HEMT和硅驅動器。特性:Nano CAP?集成輸出可選5V LDO為工業(yè)應用提供長期支持產品寬工作范圍,適用于VDD 引腳電壓IN引腳電壓的寬工…SCT3160KWATL
SCT3160KWATL是一款1200V, 17A SiC(碳化硅)溝槽MOSFET,采用小型TO-263-7封裝。其特點包括耐高壓、低導通電阻和快速開關速度。SCT3160KWATL的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術:SiC漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):17A(Tj)驅動電壓(最大 Rds On,最小…SCT3160KWAHRTL
SCT3160KWAHRTL是一款1200V, 17A汽車用SiC(碳化硅)溝槽MOSFET。其特點包括耐高壓、低導通電阻和快速開關速度。該器件采用小型TO-263-7封裝,設計符合AEC-Q101標準。SCT3160KWAHRTL的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流…SCT3060ARC15
SCT3060ARC15是一款650V N通道 4引腳封裝 SiC(碳化硅)MOSFET,非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車充電站等應用。與以往的3引腳封裝(TO-247N)相比,導通損耗和關斷損耗合起來預計可降低約35%的損耗。SCT3060ARC15的規(guī)格:FET 類型:N 通道技…SCT3080ARC15
SCT3080ARC15是一款非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車充電站等的溝槽柵結構650V SiC MOSFET。該器件采用電源源極引腳和驅動器源極引腳分離的4引腳封裝,能夠充分地發(fā)揮出高速開關性能。SCT3080ARC15的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅…SCT3080ALHRC11
SCT3080ALHRC11是一款采用溝槽柵極結構的650V SiC MOSFET。與平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%,這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調節(jié)器和工業(yè)設備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關設備的功率損耗。SCT3080ALHRC11的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術:SiCFE…電話咨詢:86-755-83294757
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