商品名稱:PSMNR98-25YLEX
數據手冊:PSMNR98-25YLEX.pdf
品牌:Nexperia
年份:23+
封裝:LFPAK56
貨期:全新原裝
庫存數量:1000 件
PSMNR98-25YLEX具有強大的SOA和低RDS(on)能力,優(yōu)化用于不間斷運行。Nexperia ASFET可保護常開機架式計算機、通信和存儲系統(tǒng)免受電源中斷和元件故障的影響。插入實時系統(tǒng)時,替代板上的這些元件取決于精心控制的浪涌電流。
產品屬性
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):25 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):255A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):7V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):1.11 毫歐 @ 25A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 2mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):98 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):6249 pF @ 12 V
功率耗散(最大值):192W(Ta)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8
封裝/外殼:SC-100,SOT-669
應用
● 12 V - 20 V 應用中的熱插拔
● 電子保險絲
● 直流開關
● 負載開關
● 電池保護
型號
品牌
封裝
數量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
答:可以通過網站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標注貨期,您可根據貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安世半導體(中國)有限公司 Nexperia是全球領先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨立。Nexperia極為重視效率,生產大批量性能可靠穩(wěn)定的半導體元件,每年生產1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導體元件。公司擁有豐富的產品組合,能夠滿足汽車…
GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212i倒裝封裝,具有低電感、低開關損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術:GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):58.5A(Tc)驅動電壓(最大 Rds On,…GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212封裝。該器件采用無引線接合,可優(yōu)化散熱和電氣性能,提供共源共柵配置,無需復雜的驅動器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電…GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ雙向GaN FET是一款40V、4.8mΩ 雙向氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT)。GANB4R8-040CBA是一款常閉emode FET,具有出色的性能。特性:增強模式-常關電源開關雙向器件超高開關速度能力超低導通電阻符合RoHS指令,無鉛,符合REACH標準高效率和高功率密…GANE3R9-150QBAZ
GANE3R9-150QBAZ氮化鎵 (GaN) FET是一款通用150V、3.9mΩ 氮化鎵 (GaN) FET。GANE3R9-150QBA是一款常閉電子模式器件,具有出色的性能和非常低的導通電阻。Nexperia GANE3R9-150QBA采用超薄四方扁平無引線封裝 (VQFN)。特性:增強模式-常關電源開關超高頻開關能力無體二極…NSF060120D7A0J
NSF060120D7A0J是一款基于碳化硅的1200 V功率MOSFET,采用標準7引腳TO-263塑料封裝(用于表面貼裝PCB技術),具有出色的RDSon 溫度穩(wěn)定性。該MOSFET非常適合用于大功率和高壓工業(yè)應用,包括電動汽車充電基礎設施、光伏逆變器和電機驅動器。NSF060120D7A0J的規(guī)格:通道模式…NSF040120L4A0Q
NSF040120L4A0Q是一款基于碳化硅(SiC)的1200V功率MOSFET,采用成熟的4引腳TO-247塑料封裝,具有出色的漏源導通電阻溫度穩(wěn)定性。該系列具有低開關損耗、快速反向恢復和快速開關速度。典型應用包括電動汽車(ev)充電基礎設施、光伏逆變器、開關模式電源(SMPS)、不間斷…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務時間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接: