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商品名稱(chēng):PSMN1R9-80SSEJ
數(shù)據(jù)手冊(cè):PSMN1R9-80SSEJ.pdf
品牌:Nexperia
年份:23+
封裝:SOT-1235
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
PSMN1R9-80SSEJ N溝道MOSFET設(shè)計(jì)用于實(shí)現(xiàn)超高性能和可靠性。Nexperia PSMN器件是Nexperia應(yīng)用專(zhuān)用MOSFET (ASFET) 系列的一部分。這些MOSFET專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于熱插拔和軟啟動(dòng)應(yīng)用,工作溫度高達(dá)175°C。這些器件具有低RDSon和增強(qiáng)的安全工作區(qū)性能,因此非常適合用于要求苛刻的電源管理應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):80 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):286A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):1.9 毫歐 @ 25A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.6V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):232 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):17140 pF @ 40 V
功率耗散(最大值):340W(Ta)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:LFPAK88(SOT1235)
封裝/外殼:SOT-1235
應(yīng)用
● 熱插拔
● 負(fù)載開(kāi)關(guān)
● 軟啟動(dòng)
● 電熔絲
● 電信和計(jì)算系統(tǒng),基于48V背板/電源軌
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠(chǎng)或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線(xiàn)品牌,其他渠道均為原廠(chǎng)及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。
答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢(xún)價(jià),也可以通過(guò)電話(huà)以及郵箱咨詢(xún)。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專(zhuān)業(yè)制造商。公司于2017年初獨(dú)立。Nexperia極為重視效率,生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件,每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合,能夠滿(mǎn)足汽車(chē)…
PSC2065JJ
PSC2065JJ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-263-2 通孔功率塑料封裝中,具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開(kāi)關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065JJ 的特點(diǎn)零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無(wú)關(guān)的快速平穩(wěn)開(kāi)關(guān)…PSC2065LQ
PSC2065LQ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-247-2 通孔功率塑料封裝中,具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開(kāi)關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065LQ 的特點(diǎn)零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無(wú)關(guān)的快速平穩(wěn)開(kāi)關(guān)…GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212i倒裝封裝,具有低電感、低開(kāi)關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格:FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):58.5A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,…GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212封裝。該器件采用無(wú)引線(xiàn)接合,可優(yōu)化散熱和電氣性能,提供共源共柵配置,無(wú)需復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格:FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電…GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ雙向GaN FET是一款40V、4.8mΩ 雙向氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT)。GANB4R8-040CBA是一款常閉emode FET,具有出色的性能。特性:增強(qiáng)模式-常關(guān)電源開(kāi)關(guān)雙向器件超高開(kāi)關(guān)速度能力超低導(dǎo)通電阻符合RoHS指令,無(wú)鉛,符合REACH標(biāo)準(zhǔn)高效率和高功率密…GANE3R9-150QBAZ
GANE3R9-150QBAZ氮化鎵 (GaN) FET是一款通用150V、3.9mΩ 氮化鎵 (GaN) FET。GANE3R9-150QBA是一款常閉電子模式器件,具有出色的性能和非常低的導(dǎo)通電阻。Nexperia GANE3R9-150QBA采用超薄四方扁平無(wú)引線(xiàn)封裝 (VQFN)。特性:增強(qiáng)模式-常關(guān)電源開(kāi)關(guān)超高頻開(kāi)關(guān)能力無(wú)體二極…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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