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NTMTS1D6N10MCTXG 是 100V、273A 功率 MOSFET 單 N 溝道晶體管，8-DFNW (8.3x8.4)。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：36A（Ta），273A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.7 毫歐 @ 90A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 650μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：106 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：7630 pF @ 50 V

功率耗散（最大值）：5W（Ta），291W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：8-DFNW（8.3x8.4）

封裝/外殼：8-PowerTDFN

產(chǎn)品特性

小尺寸（8x8 毫米），適合緊湊型設計

低 RDS(on)，將傳導損耗降至最低

低 QG 和電容，將驅(qū)動器損耗降至最低

新型功率 88 封裝

這些器件無鉛，符合 RoHS 規(guī)范

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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