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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:NVBG160N120SC1

商品名稱:NVBG160N120SC1

數(shù)據(jù)手冊:NVBG160N120SC1.PDF

品牌:ON

年份:23+

封裝:TO-263-8

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
ON
型號
NVBG160N120SC1
封裝
TO-263-8
描述
表面貼裝型 N 通道 1200 V 19.5A(Tc) 136W(Tc) D2PAK-7

產(chǎn)品描述

NVBG160N120SC1 160mΩ SiC MOSFET與硅器件相比,具有更好的開關(guān)性能和更高的可靠性。該MOSFET具有1200V漏極-源極電壓 (VDSS) 和19.5A最大電容漏極電流 (ID)。具有低導(dǎo)通電阻,采用緊湊的芯片尺寸,可確保低電容和柵極電荷。該MOSFET具有高效率、更快工作頻率、高功率密度、低電磁干擾 (EMI) 以及較小的系統(tǒng)尺寸等特性。符合汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn),例如汽車車載充電器和汽車用直流/直流轉(zhuǎn)換器(用于EV/HEV),符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術(shù):SiCFET(碳化硅)

漏源電壓(Vdss):1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):19.5A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):20V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):224毫歐 @ 12A,20V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4,3V @ 2,5mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):33.8 nC @ 20 V

Vgs(最大值):+25V,-15V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):678 pF @ 800 V

功率耗散(最大值):136W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7

封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA


應(yīng)用

● 車載充電器

● 電動汽車 (EV )/混合電動汽車 (HEV) 用汽車直流/直流轉(zhuǎn)換器

● 逆變器

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描述

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常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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    答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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