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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:MYH200R075M1HXKSA1

商品名稱:MYH200R075M1HXKSA1

數(shù)據(jù)手冊:MYH200R075M1HXKSA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:TO-247-4

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:10

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
MYH200R075M1HXKSA1
封裝
TO-247-4
描述
通孔 N 通道 2000 V 34A(Tc) 267W(Tc) PG-TO247-4-U04

產(chǎn)品描述

MYH200R075M1HXKSA1是溝槽式MOSFET,采用TO-247PLUS-4-HCC封裝。這些MOSFET設計用于在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度,即使在苛刻的高壓和開關頻率條件下也是如此。CoolSiC?技術具有低功耗,采用.XT互連技術,可靠性極高,可在各種應用中提高效率。2000V MOSFET具有4.5V基準柵極閾值電壓,開關損耗非常低。典型應用包括儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、燈串逆變器和太陽能優(yōu)化器。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術:SiC(碳化硅結晶體管)

漏源電壓(Vdss):2000 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):34A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):98 毫歐 @ 13A,18V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 7.7mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):64 nC @ 18 V

Vgs(最大值):+20V,-7V

功率耗散(最大值):267W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應商器件封裝:PG-TO247-4-U04

封裝/外殼:TO-247-4


應用

● 儲能系統(tǒng)

● EV充電

● 組列逆變器

● 太陽能電源優(yōu)化器

相關聯(lián)產(chǎn)品

型號

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IPDQ60R020CFD7

INFINEON

PG-HDSOP-22

3000

600V CoolMOS? CFD7 功率晶體管,PG-HDSOP-22

NVMFD5C672NLT1G

ON

8-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFD5C466NWFT1G

ON

8-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C680NLWFT1G

ON

5-DFNW

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C442NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C468NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C670NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C673NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C471NLWFTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C453NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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    答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。

  • 4.我可以通過公司網(wǎng)站進行詢價嗎?

    答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。

  • 5.下單后什么時候能發(fā)貨?多久能到?

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  • 6.公司能開發(fā)票嗎?

    答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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