商品名稱：IPD028N06NF2S
數據手冊：
IPD028N06NF2S.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：TO252-3
貨期：全新原裝
庫存數量：1000 件
IPD028N06NF2S 是采用 DPAK 封裝的StrongIRFET?2 60V 單N通道功率MOSFET，具有2.85 mOhm的低RDS（ON），適合從低開關頻率到高開關頻率的廣泛應用。
規(guī)格
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：24A（Ta），139A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.85 毫歐 @ 70A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 80μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：102 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4600 pF @ 30 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3W（Ta），150W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：PG-TO252-3
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
基本產品編號：IPD028
型號
品牌
封裝
數量
描述
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)。
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有業(yè)界領先的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有業(yè)界領先的 RDS(on)
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IAUCN04S7N040D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N040D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N024D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…電話咨詢：86-755-83294757
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