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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號(hào):AIMW120R035M1HXKSA1

商品名稱:AIMW120R035M1HXKSA1

數(shù)據(jù)手冊(cè):AIMW120R035M1HXKSA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:TO-247-3

貨期:全新原裝

庫(kù)存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
AIMW120R035M1HXKSA1
封裝
TO-247-3
描述
通孔 N 通道 1200 V 52A(Tc) 228W(Tc) PG-TO247-3-41

產(chǎn)品描述

AIMW120R035M1HXKSA1提供52A的漏極電流 (ID) 和35mΩ的導(dǎo)通電阻,Infineon車規(guī)級(jí)1200V碳化硅溝槽型MOSFET專為車載充電器/PFC和升壓器/DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用而設(shè)計(jì)。Infineon Technologies CoolSiC?車規(guī)級(jí)1200V碳化硅溝槽型MOSFET具有更高的功率密度、更高的頻率和更高的效率。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術(shù):SiCFET(碳化硅)

漏源電壓(Vdss):1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):52A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):46 毫歐 @ 25A,18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5.7V @ 10mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):59 nC @ 18 V

Vgs(最大值):+23V,-7V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2130 pF @ 800 V

功率耗散(最大值):228W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-3-41

封裝/外殼:TO-247-3


應(yīng)用

● 車載充電器/PFC

● 升壓器/DC-DC轉(zhuǎn)換器

● 輔助逆變器

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型號(hào)

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IPDQ60R020CFD7

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PG-HDSOP-22

3000

600V CoolMOS? CFD7 功率晶體管,PG-HDSOP-22

NVMFD5C672NLT1G

ON

8-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFD5C466NWFT1G

ON

8-DFN

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單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C680NLWFT1G

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5-DFNW

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C442NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

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NVMFS5C468NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C670NLTAG

ON

8-WDFN

2000

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NVTFS5C673NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C471NLWFTAG

ON

8-WDFN

2000

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NVTFS5C453NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

常見問題

  • 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎?

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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