商品名稱:6EDL04I06NT
數(shù)據(jù)手冊:6EDL04I06NT.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:28-SOIC
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
6EDL04I06NT 是一款全橋驅動器,用于控制三相系統(tǒng)中的 MOS 晶體管或 IGBT 等功率器件,最大阻斷電壓為 +600 V。
技術特點
英飛凌薄膜-SOI 技術
最大阻斷電壓 +600 V
輸出源/沉電流 +0.165 A/-0.375 A
集成超快、低 RDS(ON) 自舉二極管
橋式輸出對 SOI 技術提供的高達 -50 V 負瞬態(tài)電壓不敏感
六個驅動器均有獨立的控制電路
過流和欠壓檢測
過電流檢測后故障清除的外部可編程延遲
在錯誤條件下 "關閉 "所有開關 CMOS 和 LSTTL 兼容輸入(負邏輯)
每相信號互鎖,防止交叉導通
應用
家用電器、制冷壓縮機、空調(diào)
風扇、泵
電機驅動器、通用變頻器
電動工具、輕型電動汽車
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…電話咨詢:86-755-83294757
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