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DMWS120H100SM4 1200V N溝道碳化硅(SiC)功率MOSFET旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。它可以在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、光伏能源系統(tǒng)、直流-直流轉(zhuǎn)換器，以及數(shù)據(jù)中心和電信電源中實(shí)現(xiàn)高密度和高效率。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：37.2A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：100 毫歐 @ 20A，15V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 5mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：52 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：+19V，-8V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1516 pF @ 1000 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：208W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-4

封裝/外殼：TO-247-4

基本產(chǎn)品編號：DMWS120

• 1.平臺上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。