商品名稱:ICE3BR0665JZ
數(shù)據(jù)手冊:ICE3BR0665JZ.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:DIP7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:4000 件
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ICE3BR0665JZ源自DIP-7封裝中的ICE3BR00665J。CoolSET?-F3R抖動系列(ICE3BRxx65J)是CoolSET?-F3的最新版本。它針對離線電池適配器和低成本SMPS,用于較低功率范圍,如DVD R/W、DVD Combi、藍光DVD播放器、機頂盒等。此外,它繼承了CoolSET?-F3在BiCMOS技術(shù)、主動突發(fā)模式、自動重啟保護、傳播延遲補償?shù)确矫娴淖吭叫阅?。CoolSET?-F3R系列具有一些新功能,如內(nèi)置軟啟動時間、內(nèi)置消隱窗口、內(nèi)置頻率抖動、軟柵極驅(qū)動等。如果高負載應用需要更長的消隱時間,只需在BA引腳上簡單添加電容器即可達到此目的。此外,當需要立即停止電源切換時,外部自動重啟啟用功能可以提供額外的保護。
特征
?650V雪崩堅固型CoolMOS?,內(nèi)置啟動單元
?最低待機功率的主動突發(fā)模式
?主動突發(fā)模式下的快速負載跳躍響應
?65kHz內(nèi)部固定開關(guān)頻率
?過載、開環(huán)、VCC欠電壓、超溫和過電壓的自動重啟保護模式
?內(nèi)置軟啟動
?內(nèi)置消隱窗口,可延長消隱時間,用于短時間高電流
?外部自動重啟啟用引腳
?最大工作循環(huán)75%
?限流的總體公差<±5%
?內(nèi)部PWM前沿消隱
?BiCMOS技術(shù)提供了廣泛的VCC范圍
?內(nèi)置頻率抖動和軟驅(qū)動,可實現(xiàn)低EMI
型號
品牌
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描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實現(xiàn)應用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級,7 m?-1000 m?導通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格:FET 類型:N …AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應用而設(shè)計。優(yōu)勢:更低的封裝寄生效應更低的開關(guān)損耗簡化設(shè)計優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R030M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1…AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車用CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品,它是專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應用而設(shè)計。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實現(xiàn)應用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R040M1TFET 類型:N 通…AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車用CoolSiC? MOSFET,采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應用而設(shè)計?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R060M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連…AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應用而設(shè)計?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R080M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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