商品名稱:PI6C4921502TQ1ZHWEX
數(shù)據(jù)手冊:PI6C4921502TQ1ZHWEX.pdf
品牌:Diodes
年份:23+
封裝:32-WQFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
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PI6C4921502TQ1ZHWEX汽車LVDS緩沖區(qū)輸出從輸入到輸出具有低延遲,并為電平移位提供獨(dú)立的輸入-輸出電源電壓。該款器件非常適合用于向多個(gè)目的地分發(fā)低抖動(dòng)時(shí)鐘信號(hào)的系統(tǒng)。緩沖器輸出符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn),無鉛,完全符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),并支持 汽車級(jí)1級(jí)要求。該LVDS緩沖器輸出具有2組2/4路LVDS輸出和高達(dá)200MHz LVCMOS參考輸出。緩沖區(qū)輸出工作在-40°C至+125°C環(huán)境溫度范圍,工作最大結(jié)溫為150°C。該LVDS緩沖器輸出非常適合用在網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中,包括交換機(jī)、路由器和汽車信息娛樂系統(tǒng)。
產(chǎn)品屬性
類型:扇出緩沖器(分配)
電路數(shù):1
比率 - 輸入:輸出:3:2
差分 - 輸入:輸出:是/是
輸入:LVCMOS,LVDS,晶體
輸出:LVCMOS,LVDS
頻率 - 最大值:1.5 GHz
電壓 - 供電:2.375V ~ 3.465V
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:32-WFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:32-WQFN(5x5)
應(yīng)用
● 網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng),包括交換機(jī)和路由器
● 基于高頻背板的計(jì)算和電信平臺(tái)
● ADAS
● 汽車信息娛樂
型號(hào)
品牌
封裝
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描述
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Diodes Inc.成立於1966年,是美國Nasdaq上市企業(yè),為敦南科技轉(zhuǎn)投資企業(yè),主要從事半導(dǎo)體分立元件制造生產(chǎn),Diodes Inc.與光寶集團(tuán)具備合作夥伴關(guān)系,雙方共同開發(fā)、生產(chǎn)及分銷產(chǎn)品,服務(wù)廠商包括通訊、電腦、工業(yè)、電子產(chǎn)品和汽車工業(yè)等。 Diodes 公司是一家在廣闊的分…
DMWSH120H43SM4
DMWSH120H43SM4是一款1200V、72.7A單N溝道碳化硅功率MOSFET,采用4引腳TO-247封裝,設(shè)計(jì)用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。這些功率MOSFET非常適合用于EV大功率DC-DC轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、AC-DC牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。DMWSH120H…DMWSH120H43SM3
DMWSH120H43SM3是一款1200V、72.7A單N溝道碳化硅功率MOSFET,設(shè)計(jì)用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。這些1200V功率MOSFET非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。DMWSH120H43SM3的規(guī)…DMWSH120H90SM3
DMWSH120H90SM3是一款1200V、41A碳化硅功率MOSFET,設(shè)計(jì)用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。這些1200V功率MOSFET非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。DMWSH120H90SM3的規(guī)格:FET …DMWSH120H90SM3Q
DMWSH120H90SM3Q是一款1200V、41A N溝道碳化硅功率MOSFET,設(shè)計(jì)用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。該款MOSFET非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。DMWSH120H90SM3Q的規(guī)格:FET 類…DMWSH120H90SM4Q
DMWSH120H90SM4Q 1200V N溝道碳化硅功率MOSFET旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻,同時(shí)保持出色的開關(guān)性能,非常適合高效率電源管理應(yīng)用。DMWSH120H90SM4Q的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):40A(Tc)驅(qū)…DMWSH120H28SM4Q
DMWSH120H28SM4Q 1200V N溝道碳化硅功率MOSFET設(shè)計(jì)用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。該MOSFET具有低輸入電容,非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。DMWSH120H28SM4Q的規(guī)格:FET…電話咨詢:86-755-83294757
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