商品名稱:NGW30T60M3DFQ
數(shù)據(jù)手冊(cè):NGW30T60M3DFQ.pdf
品牌:Nexperia
年份:23+
封裝:TO-247-3L
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NGW30T60M3DFQ是一款堅(jiān)固耐用的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT),采用第三代技術(shù)。它結(jié)合了載流子存儲(chǔ)溝槽柵極和場截止(FS)結(jié)構(gòu)。額定溫度高達(dá) 175 °C,具有優(yōu)化的 IGBT 關(guān)斷損耗,并具有 5 μL 的短路耐壓時(shí)間。這款硬開關(guān) 600 V、30 A IGBT 專為高壓而優(yōu)化、低頻工業(yè)功率變頻器和伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型:溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):75 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):90 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,30A
功率 - 最大值:285 W
開關(guān)能量:700μJ(開),400μJ(關(guān))
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:130 nC
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:60ns/180ns
測試條件:400V,30A,10 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):110 ns
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝:TO247-3L
應(yīng)用
● 用于工業(yè)和家用電器的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
● 運(yùn)行功率在 5-20 kW(最高 20 kHz)之間的伺服電機(jī),用于機(jī)器人、電梯、操作機(jī)械手、在線制造等。
● 電源逆變器
● 不間斷電源 (UPS) 逆變器
● 光伏 (PV) 組串
● 電動(dòng)汽車充電
● 感應(yīng)加熱
● 焊接
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨(dú)立。Nexperia極為重視效率,生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件,每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合,能夠滿足汽車…
PSC2065JJ
PSC2065JJ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-263-2 通孔功率塑料封裝中,具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065JJ 的特點(diǎn)零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…PSC2065LQ
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GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212i倒裝封裝,具有低電感、低開關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):58.5A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,…GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212封裝。該器件采用無引線接合,可優(yōu)化散熱和電氣性能,提供共源共柵配置,無需復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電…GANB4R8-040CBAZ
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