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深圳市明佳達(dá)電子有限公司

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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價(jià)

操作

RGS30NL65DHRBTL

產(chǎn)品說明：IGBT 晶體管，8 秒短路容差，650V 15A

封裝：TO-263-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW80NL65DHRBTL

產(chǎn)品說明：650V 40A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管

封裝：TO-263-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW80NL65HRBTL

產(chǎn)品說明：650V 40A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管

封裝：TO-263-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW60NL65HRBTL

產(chǎn)品說明：650V 30A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管

封裝：TO-263-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW50NL65DHRBTL

產(chǎn)品說明：650V 25A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管

封裝：TO-263-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW40NL65DHRBTL

產(chǎn)品說明：650V 20A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管

封裝：TO-263-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW40TK65DGVC11

產(chǎn)品說明：650V 20A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管

封裝：TO-3PFM
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW00TS65CHRC11

產(chǎn)品說明：內(nèi)置 SiC-SBD 的 650V 50A 混合型 IGBT 晶體管

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGWX5TS65EHRC11

產(chǎn)品說明：650V 75A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS30TSX2GC11

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 1200 V 30 A 267 W 通孔 TO-247N

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTH80TK65GC11

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 31 A 66 W 通孔 TO-3PFM

封裝：TO-3PFM
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTH50TK65DGC11

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 26 A 59 W 通孔 TO-3PFM

封裝：TO-3PFM
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGCL60TS60DGC13

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 600 V 48 A 111 W 通孔 TO-247G

封裝：TO-247G
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTH50TS65DGC13

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 50 A 174 W 通孔 TO-247G

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTH00TS65GC13

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 85 A 277 W 通孔 TO-247

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BD71850MWV-E2

產(chǎn)品說明：PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 切換式 12 輸出 降壓（6），線性（LDO）（6） 2MHz UQFN56BV7070

封裝：56-VFQFN
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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