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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

IMW120R007M1HXKSA1

產(chǎn)品說明：采用TO247-3封裝的1200V 7mΩ CoolSiC? 溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-247-3
10起
240
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R007M1H

產(chǎn)品說明：采用TO247-3封裝的1200V 7mΩ CoolSiC? 溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-247-3
10起
240
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R040M1H

產(chǎn)品說明：采用TO247-3封裝的1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-247-3
10起
240
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R040M1HXKSA1

產(chǎn)品說明：采用TO247-3封裝的1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-247-3
10起
240
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R090M1HXTMA1

產(chǎn)品說明：采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R090M1H

產(chǎn)品說明：采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R039M1H

產(chǎn)品說明：SMD緊湊型封裝SiC MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R039M1HXTMA1

產(chǎn)品說明：SMD緊湊型封裝SiC MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R014M1HXKSA1

產(chǎn)品說明：采用TO247-4封裝的1200V 14mΩ CoolSiCTM 溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-247-4
10起
240
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R014M1H

產(chǎn)品說明：采用TO247-4封裝的1200V 14mΩ CoolSiCTM 溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-247-4
10起
240
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R220M1HXTMA1

產(chǎn)品說明：采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R220M1H

產(chǎn)品說明：采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGI60F100A1LAUMA1

產(chǎn)品說明：CoolGaN? 集成功率級 (IPS) 單通道 600V 可提供高密度、高效率的解決方案

封裝：QFN-21
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGI60F100A1L

產(chǎn)品說明：CoolGaN? 集成功率級 (IPS) 單通道 600V 可提供高密度、高效率的解決方案

封裝：QFN-21
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGI60F1414A1LAUMA1

產(chǎn)品說明：600V CoolGaN? 集成功率級 (IPS) 可提供高密度、高效率的解決方案

封裝：QFN-28
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGI60F1414A1L

產(chǎn)品說明：600V CoolGaN? 集成功率級 (IPS) 可提供高密度、高效率的解決方案

封裝：QFN-28
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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