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規(guī)格型號(hào)
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參數(shù)描述
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單價(jià)
操作
產(chǎn)品說明:表面貼裝型 N 通道 80 V 300A(Tj) 325W(Tc) PG-HSOG-4-1
封裝:PG-HSOG-4產(chǎn)品說明:超低功耗雙頻 802.11n Wi-Fi/藍(lán)牙 5.0 組合芯片
封裝:BGA產(chǎn)品說明:80V,N-Ch,最大 3.4 mΩ,汽車 MOSFET,SSO8 (5x6),OptiMOS? 7
封裝:PG-TDSON-8產(chǎn)品說明:OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V,采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝,具有極低的 RDS(on)
封裝:PG-WHTFN-9產(chǎn)品說明:雙頻 Wi-Fi 6/藍(lán)牙 5.0 組合芯片
封裝:BGA產(chǎn)品說明:80V,N-Ch,最大 2.4 mΩ,汽車 MOSFET,SSO8 (5x6),OptiMOS? 7
封裝:PG-TDSON-8產(chǎn)品說明:高度集成的 50G ITU PON/XGS-PON/GPON橋接ONU SoC
封裝:BGA產(chǎn)品說明:高度集成的 50G ITU PON/XGS-PON/GPON橋接ONU SoC
封裝:BGA產(chǎn)品說明:N 通道 60 V 42A(Ta),445A(Tc) 3W(Ta),333W(Tc) PG-WHSON-8-U02
封裝:PG-WHSON-8產(chǎn)品說明:高性能、單芯片、高性價(jià)比的50G OLT PON SoC
封裝:BGA產(chǎn)品說明:高性能、單芯片、高性價(jià)比的50G OLT PON SoC
封裝:BGA產(chǎn)品說明:OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V,采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝,具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
封裝:PG-WHTFN-9產(chǎn)品說明:N 通道 60 V 42A(Ta),445A(Tc) 3W(Ta),333W(Tc) PG-WHTFN-9-U02
封裝:PG-WHTFN-9產(chǎn)品說明:OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V,采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝,具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
封裝:PG-WHSON-8產(chǎn)品說明:具有集成激光驅(qū)動(dòng)器的 5nm CMOS 800G (4:4) PAM-4 收發(fā)器 PHY
封裝:BGA電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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